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长江存储量产64层3D NAND Flash产品，标志着中国在存储芯片领域的重大突破。这一技术进展预计将在明年开始量产，填补中国在全球NAND Flash领域的技术缺口。目前全球NAND Flash芯片的主流技术正是64层3D技术，这使得中国在这一领域已与全球领先企业齐头并进。

全球存储芯片市场目前主要由韩美日三家企业垄断，占据超过90%的市场份额。其中，NAND Flash芯片的主要生产商包括三星、东芝、美光、西部数据和SK海力士。根据2018年四季度的市场份额显示，这些企业分别占据30.4%、19.3%、15.4%、15.3%和11.2%的市场份额，合计高达99.5%。这一垄断局面对中国存储芯片行业构成了不利因素，尤其是在NAND Flash和DRAM价格持续上涨的情况下，中国的数码电子产品成本不断攀升，影响了制造业的利润。

长江存储作为中国领先的存储芯片企业之一，致力于打破韩美日的垄断。自2014年集成电路产业基金成立以来，存储芯片产业成为中国高科技发展的重点之一。长江存储在技术研发方面取得了显著进展，去年成功研发出32层3D NAND Flash产品。尽管此时全球主流技术已升级至64层，但长江存储明确了未来发展方向，将32层产品作为技术验证和测试生产线的基础，直到日前推出64层3D NAND Flash产品才开始大规模投产。

这一技术突破具有重要的行业意义。全球前六大NAND Flash厂商包括美光和Intel，去年5月才开始量产64层3D NAND Flash产品，而长江存储的这一成就标志着中国存储芯片企业已追上全球主流技术水平。类似于京东方在液晶面板领域的发展，长江存储在NAND Flash技术上的进步速度更快。

面对中国存储芯片企业的崛起，全球NAND Flash厂商正在加速产能扩张，导致市场价格持续下滑。尽管如此，中国高端制造业的发展历程表明，该国企业善于在逆境中寻找生存和发展的机会。未来，随着中国存储芯片企业的不断进步，全球存储芯片市场格局有望发生改变。

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